Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники в России: проходные баллы, минимальные баллы, экзамены, в каких вузах учат, стоимость обучения, вступительные экзамены
Сводная информация
Проходной балл: от 135
Мест: 129
Комбинация ЕГЭ 1
Предметы ЕГЭ
Математика (профиль)
Русский язык
Физика
Комбинация ЕГЭ 2
Предметы ЕГЭ
Математика (профиль)
Русский язык
Химия
Комбинация ЕГЭ 3
Предметы ЕГЭ
Математика (профиль)
Русский язык
Информатика
Параметры программы
Вузы: НИТУ «МИСиС», НГТУ, РГРТУ, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
Квалификация: Бакалавриат;
Форма обучения: Очная; Заочная;
Язык обучения: Русский;
На базе: 11 классов;
Курс: Полный курс;
Города: Санкт-Петербург, Рязань, Новосибирск, Москва,
Специальность: Электроника и наноэлектроника
О программе*
* набор дисциплин может незначительно отличаться в зависимости от вуза. Смотрите подробности на странице программы в нужном вузе
Образовательная программа ориентирована на подготовку бакалавров для электронной промышленности, связанной с разработкой, технологией, исследованием и применением материалов и приборов микро- и наноэлектроники различного назначения и, в конечном итоге, с наукоемким эффективным производством на основе нанотехнологий и ресурсо- и энергосберегающих технологий
Дисциплины, изучаемые в рамках профиля:
- Физика конденсированного состояния
- Физические основы электроники
- Наноэлектроника
- Основы технологии электронной компонентной базы
- Схемотехника
- Основы проектирования электронной компонентной базы
- Приборы квантовой и оптической электроники
- Силовые полупроводниковые приборы
- Моделирование технологических процессов наноэлектроники
- СВЧ полупроводниковые приборы
- Вакуумная и плазменная электроника
- Основы радиационной стойкости приборов и изделий электронной техники
- Физика импульсного отжига
Учиться никогда не поздно!
